Samsung цього кварталу запустить масове виробництво чипів за техпроцесом 3GAE з використанням транзисторів GAAFET (MBCFET)

Компанія Samsung заявила, що вона вже цього кварталу готується до початку крупносерійного виробництва чіпів на базі виробничого процесу 3GAE (3 nm-class gate all-around early). Це буде перша у галузі виробнича технологія класу 3 нм, а також перший вузол, у якому використовуються транзистори GAAFET (gate-all-around field effect transistors).

Для довідки: архітектура GAAFET, що йде на зміну нинішній FinFET, розробляється організацією, до якої входять IBM, Globalfoundries та Samsung, з 2000 року. Саме вона має допомогти подолати фізичні обмеження щодо масштабування МОП. Головна особливість GAAFET – кільцеві затвори (звідси й назва gate-all-around FET). Канали транзисторів GAAFET є нанопроводами (вони сформовані з декількох горизонтальних кремнієвих «нанолистів»). Водночас канал FinFET транзистора під затвором є монолітною вертикальною конструкцією «плавник», що і накладає обмеження по масштабуванню.

Samsung має власну реалізацію технології GAAFET, яка має маркетингову назву Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Насправді MBCFET відрізняється від GAAFET не тільки назвою, але й технічно: у разі реалізації Samsung канали виконані у вигляді плоских містків, а не проводів.

Техпроцес 3GAE від Samsung Foundry – це перший технологічний процес компанії, в якому використовуються транзистори GAA, які називають MBCFET. Раніше Samsung заявляла, що цей техпроцес дозволить підвищити продуктивність на 30%, знизити енергоспоживання на 50% і підвищити щільність транзисторів до 80% (включаючи поєднання логічних транзисторів та транзисторів SRAM).

Теоретично технологія GAAFET має ряд переваг у порівнянні з FinFET, що використовується нині. У GAA-транзисторах канали розташовані горизонтально та оточені затворами. При цьому канали формуються з використанням епітаксії та селективного видалення матеріалів, що дозволяє точно їх налаштовувати, регулюючи ширину каналу транзистора. Висока продуктивність досягається рахунок ширших каналів, низьке енергоспоживання – внаслідок вужчих каналів. Така точність значно знижує струм витоку транзистора (тобто знижує енергоспоживання), а також мінливість продуктивності транзистора, що забезпечує швидший час виходу на ринок та можливість отримання вищого доходу. Крім того, GAAFET дозволить зменшити площу комірки на 20-30%.

Техпроцес Samsung 3GAE як «рання» виробнича технологія 3-нм класу, використовуватиметься в основному підрозділом Samsung LSI та, можливо, одним або двома іншими великими клієнтами Samsung Foundry. Враховуючи, що такі клієнти та Samsung LSI, як правило, виробляють чіпи у дуже великих обсягах, можна очікувати, що технологія 3GAE буде використовуватися досить широко, за умови, що продуктивність та ефективність цих продуктів виявляться відповідними очікуванням.

Ви читаєте незалежне україномовне видання "SUNDRIES". Ми не належимо ні олігархам, ні депутатам. Отож ми потребуємо Вашої підтримки для розвитку та збереження незалежності. Підтримайте нас!

Джерело itc
You might also like
Комментарі
Loading...