Samsung показала робочий зразок 3-нм чіпа на базі технології MBCFET

Інженери південнокорейської Samsung Electronics представили перший робочий зразок 3-нм процесора, виготовленого за допомогою запатентованих транзисторів MBCFET. Передовий техпроцес був реалізований на прикладі мікросхеми SRAM – статичної пам’яті з довільним доступом. Система обійшла 7-нм техпроцес, широко використовуваний в сучасній електроніці, за всіма параметрами – з точки зору швидкості, щільності і енергоефективності. Зараз Samsung готується до масового випуску 3-нм чіпів – їх виробництво заплановано на 2022 рік.

Останні кілька років Samsung регулярно ділилася інформацією про перспективи 3-нм техпроцесу. Представники компанії говорили про масштабне будівництво виробничих ліній, можливості гаджетів і потужностях майбутніх систем. При цьому реальні показники нової технології до цього моменту залишалися під питанням – Samsung відмовлялася демонструвати свої прототипи. Але зараз все змінилося – працездатність чіпа, створеного по техпроцесу 3 нанометра, на основі MBCFET (multi-bridge channel FET), підтверджена на практиці та тепер може бути реалізована в споживчих пристроях.

Як повідомляє Tom’s Hardware, технологія GAAFET ділиться на дві категорії: класичні транзистори GAAFET, відомі як нанодріт, і MBCFET, звані нанолисти. На перший варіант планують перейти практично всі напівпровідникові компанії, включаючи лідера ринку – тайванську TSMC. Водночас Samsung вирішила піти іншим шляхом і самостійно розробила концепцію транзисторів MBCFET для 3 нанометрів.

MBCFET пропонує кілька переваг перед GAAFET – система не вимагає використовувати нове обладнання і відрізняється більшою гнучкістю, оскільки може бути швидко налаштована і скомпонована під різні завдання. І якщо раніше такий підхід не був перевірений і міг виявитися провалом для Samsung, то зараз інженери компанії змогли підтвердити його ефективність.

За словами представників Samsung Foundry, в порівнянні з 7-нм техпроцесом нове рішення гарантує аналогічну продуктивність при економії енергії до 50%, підвищить продуктивність на 30% при збереженні енергоспоживання і збільшить щільність транзисторів на 80%. Останній фактор відіграє найважливішу роль – Samsung зможе зібрати більший обсяг пам’яті і логічних компонентів на більш компактному кристалі.

Згідно з інформацією Bloomberg, Samsung вже затвердила старт виробництва 3-нм чіпів – ключові клієнти компанії отримають перші партії мікросхем до кінця наступного року.

Додайте SUNDRIES у вибрані джерела Google Новини

Ви читаєте незалежне україномовне видання "SUNDRIES". Ми не належимо ні олігархам, ні депутатам. Отож ми потребуємо Вашої підтримки для розвитку та збереження незалежності. Підтримайте нас!

Джерело tomshardware
Вам також може сподобатись
Коментарі
Loading...