Інженери південнокорейської Samsung Electronics представили перший робочий зразок 3-нм процесора, виготовленого за допомогою запатентованих транзисторів MBCFET. Передовий техпроцес був реалізований на прикладі мікросхеми SRAM – статичної пам’яті з довільним доступом. Система обійшла 7-нм техпроцес, широко використовуваний в сучасній електроніці, за всіма параметрами – з точки зору швидкості, щільності і енергоефективності. Зараз Samsung готується до масового випуску 3-нм чіпів – їх виробництво заплановано на 2022 рік.
Останні кілька років Samsung регулярно ділилася інформацією про перспективи 3-нм техпроцесу. Представники компанії говорили про масштабне будівництво виробничих ліній, можливості гаджетів і потужностях майбутніх систем. При цьому реальні показники нової технології до цього моменту залишалися під питанням – Samsung відмовлялася демонструвати свої прототипи. Але зараз все змінилося – працездатність чіпа, створеного по техпроцесу 3 нанометра, на основі MBCFET (multi-bridge channel FET), підтверджена на практиці та тепер може бути реалізована в споживчих пристроях.
Як повідомляє Tom’s Hardware, технологія GAAFET ділиться на дві категорії: класичні транзистори GAAFET, відомі як нанодріт, і MBCFET, звані нанолисти. На перший варіант планують перейти практично всі напівпровідникові компанії, включаючи лідера ринку – тайванську TSMC. Водночас Samsung вирішила піти іншим шляхом і самостійно розробила концепцію транзисторів MBCFET для 3 нанометрів.
MBCFET пропонує кілька переваг перед GAAFET – система не вимагає використовувати нове обладнання і відрізняється більшою гнучкістю, оскільки може бути швидко налаштована і скомпонована під різні завдання. І якщо раніше такий підхід не був перевірений і міг виявитися провалом для Samsung, то зараз інженери компанії змогли підтвердити його ефективність.
За словами представників Samsung Foundry, в порівнянні з 7-нм техпроцесом нове рішення гарантує аналогічну продуктивність при економії енергії до 50%, підвищить продуктивність на 30% при збереженні енергоспоживання і збільшить щільність транзисторів на 80%. Останній фактор відіграє найважливішу роль – Samsung зможе зібрати більший обсяг пам’яті і логічних компонентів на більш компактному кристалі.
Згідно з інформацією Bloomberg, Samsung вже затвердила старт виробництва 3-нм чіпів – ключові клієнти компанії отримають перші партії мікросхем до кінця наступного року.
